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  本发明针对现有透明电磁屏蔽材料难以兼顾高透光率与强屏蔽性能的问题，提出通过银铝共蒸发沉积技术制备超薄透明电磁屏蔽膜。采用隔板分隔银铝材料，分别控制其蒸发速率，使银颗粒占比满足屏蔽需求，铝颗粒占比保障透光性，实现二者平衡。关键技术包括速率调控、沉积厚度监测及真空退火工艺，最终获得兼具高透过率（85%以上）与电磁屏蔽性能（26-35dB）的薄膜。

  本申请涉及光学镀膜材料、电磁屏蔽膜以及真空镀膜，具体涉及一种超薄透明电磁屏蔽膜及制备方法、装置。

  1、透明电磁屏蔽薄膜在通讯设备、医疗设施、仪器仪表、航空航天、武器装备诸多领域，如光电制导导弹、激光制导导弹及战斗机驾驶舱等具有很大的应用需求，引起广泛的关注。然而，在目前透明屏蔽材料中，高透过率和强屏蔽效果难以同时兼备。

  2、基于此，需要一种电磁屏蔽膜同时兼备高透过率和强屏蔽效果的新技术方案。

  1、有鉴于此，本说明书实施例提供一种超薄透明电磁屏蔽膜及制备方法、装置。

  3、本说明书实施例提供一种超薄透明电磁屏蔽膜制备方法，包括：以银材料和铝材料作为原料，在真空镀膜机内分别将所述银材料和所述铝材料向屏蔽膜基材共蒸发沉积处理，以得到包含银颗粒和铝颗粒的电磁屏蔽膜；其中，所述银材料和所述铝材料以隔板隔开放置在所述真空镀膜机内部，使得所述银材料和所述铝材料在所述隔板隔开下各自向所述屏蔽膜基材共蒸发沉积；

  4、在共蒸发沉积处理中，根据所述电磁屏蔽膜的电磁屏蔽要求和透光率要求，控制所述银材料在共蒸发沉积中的第一速率，和控制所述铝材料在共蒸发沉积中的第二速率，使所述电磁屏蔽膜中的银颗粒含量占比和铝颗粒含量占比满足电磁屏蔽要求和透光率要求。

  5、本说明书实施例还提供一种超薄透明电磁屏蔽膜，为采用上述的超薄透明电磁屏蔽膜制备方法制备得到的电磁屏蔽膜。

  7、隔板，竖立于线、分别位于所述隔板两侧的双电子枪，每个电子枪对应作为蒸发银材料的蒸发源或铝材料的蒸发源；

  9、控制器，与电子枪连接，用于根据所述电磁屏蔽膜的电磁屏蔽要求和透光率要求，控制所述银材料在共蒸发沉积中的第一速率，和控制所述铝材料在共蒸发沉积中的第二速率，使所述电磁屏蔽膜中的银颗粒含量占比和铝颗粒含量占比满足电磁屏蔽要求和透光率要求。

  10、与现存技术相比，本说明书实施例采用的上述至少一个技术方案能达到的有益效果至少包括：

  11、本申请银材料和铝材料通过隔板隔开各自向屏蔽膜基材共蒸发沉积，分别控制银材料在共蒸发沉积中的第一速率和控制铝材料在共蒸发沉积中的第二速率，使所述电磁屏蔽膜中的银颗粒含量占比满足电磁屏蔽要求，铝颗粒含量占比满足透光率要求，以根据自身的需求可以同时兼备高透过率和强屏蔽效果。

  1.一种超薄透明电磁屏蔽膜制备方法，其特征是，包括：以银材料和铝材料作为原料，在真空镀膜机内分别将所述银材料和所述铝材料向屏蔽膜基材共蒸发沉积处理，以得到包含银颗粒和铝颗粒的电磁屏蔽膜；其中，所述银材料和所述铝材料以隔板隔开放置在所述真空镀膜机内部，使得所述银材料和所述铝材料在所述隔板隔开下各自向所述屏蔽膜基材共蒸发沉积；

  2.根据权利要求1所述的超薄透明电磁屏蔽膜制备方法，其特征是，通过第一监测探头监测所述银材料在共蒸发沉积中的第一速率，通过第二监测探头监测所述铝材料在共蒸发沉积中的第二速率；其中，所述第一监测探头与所述银材料设置在所述隔板的一侧，所述第二监测探头与所述铝材料设置在所述隔板的另一侧，且所述第一监测探头与所述铝材料的蒸发源之间的连线穿过所述隔板，同样所述第二监测探头与所述银材料的蒸发源之间的连线穿过所述隔板，使得共蒸发沉积中，所述第一监测探头不采集所述铝材料对应的沉积参数，以及所述第二监测探头不采集所述银材料对应的沉积参数。

  3.根据权利要求2所述的超薄透明电磁屏蔽膜制备方法，其特征是，所述第一监测探头监测的第一速率为0.4nm/s～0.6nm/s，和/或，所述第二监测探头监测的第二速率为0.02nm/s～0.05nm/s。

  4.根据权利要求1所述的超薄透明电磁屏蔽膜制备方法，其特征是，该电磁屏蔽膜制备方法还包括：通过第三监测探头监测所述电磁屏蔽膜的沉积速率和/或沉积厚度。

  5.根据权利要求4所述的超薄透明电磁屏蔽膜制备方法，其特征是，所述第三监测探头监控的沉积速率为0.42nm/s～0.44nm/s；和/或，所述第三监测探头监测的沉积厚度为7nm～10nm，其中当监控到的沉积厚度超出10nm时，停止共蒸发处理。

  6.根据权利要求1所述的超薄透明电磁屏蔽膜制备方法，其特征是，所述银材料在共蒸发沉积中蒸发形成所述银颗粒，所述铝材料在共蒸发沉积中蒸发形成所述铝颗粒；

  7.根据权利要求6所述的超薄透明电磁屏蔽膜制备方法，其特征是，所述修正挡板分为位于隔板所在板面两侧的导流板，两侧所述导流板朝隔板所在板面的方向上可斜向上分布，且两侧所述导流板之间形成间隙，形成的所述间隙位于所述隔板的上方，以使接触所述导流板的所述银颗粒和所述铝颗粒向形成的所述间隙流动。

  8.根据权利要求1所述的超薄透明电磁屏蔽膜制备方法，其特征是，该电磁屏蔽膜制备方法还包括：在共蒸发沉积后，对所述电磁屏蔽膜进行线所述的超薄透明电磁屏蔽膜制备方法，其特征是，所述真空退火工艺为：线pa以上，升温速率控制在20℃/min以内，最高温度为180℃-220℃，保持时间为3-8min，然后自然冷却降温至室温。

  10.根据权利要求1所述的超薄透明电磁屏蔽膜制备方法，其特征是，所述屏蔽膜基材采用以下任意一种：k9、jgs1、jgs2、jgs3及蓝宝石；

  11.依据权利要求1所述的超薄透明电磁屏蔽膜制备方法，其特征是，该电磁屏蔽膜制备方法还包括：在共蒸发沉积前，向所述屏蔽膜基材沉积连接层，作为所述屏蔽膜基材与所述电磁屏蔽膜之间的连接。

  12.根据权利要求11所述的超薄透明电磁屏蔽膜制备方法，其特征是，待真空度为第二真空度时，以预设速率向屏蔽膜基材沉积10nm～15nm的连接层，和/或，所述连接层采用sio2或al2o3。

  13.一种超薄透明电磁屏蔽膜，其特征是，为采用如权利要求1-12任一项所述的超薄透明电磁屏蔽膜制备方法制备得到的电磁屏蔽膜。

  14.根据权利要求13所述的超薄透明电磁屏蔽膜，其特征是，所述电磁屏蔽膜的波长为550nm处透过率在85％以上；和/或，20mhz～5ghz频段电磁屏蔽平均为26db～35db。

  15.依据权利要求13所述的超薄透明电磁屏蔽膜，其特征是，所述电磁屏蔽膜为银颗粒中掺杂铝颗粒的薄膜，所述电磁屏蔽膜中所述银颗粒含量占比为96atomic％～92atomic％，和/或，铝颗粒含量占比为4atomic％～8atomic％。

  16.依据权利要求13所述超薄透明电磁屏蔽膜，其特征是，所述电磁屏蔽膜通过连接层连接在所述屏蔽膜基材上。

  18.依据权利要求17所述的超薄透明电磁屏蔽膜制备装置，其特征是，该电磁屏蔽膜制备装置还包括：与控制器连接的第一监测探头和第二监测探头；

  19.依据权利要求18所述的超薄透明电磁屏蔽膜制备装置，其特征是，所述第一监测探头监测的第一速率为0.4nm/s～0.6nm/s，和/或，所述第二监测探头监测的第二速率为0.02nm/s～0.05nm/s。

  20.根据权利要求17所述的超薄透明电磁屏蔽膜制备装置，其特征是，该电磁屏蔽膜制备装置还包括：与控制器连接的第三监测探头，所述第三监测探头监测所述电磁屏蔽膜的沉积速率和/或沉积厚度。

  21.依据权利要求20所述的超薄透明电磁屏蔽膜制备装置，其特征是，所述第三监测探头监控的沉积速率为0.42nm/s～0.44nm/s；和/或，所述第三监测探头监测的沉积厚度为7nm～10nm，其中当监控到的沉积厚度超出10nm时，停止共蒸发处理。

  22.依据权利要求17所述的超薄透明电磁屏蔽膜制备装置，其特征是，该电磁屏蔽膜制备装置还包括：修正挡板；

  23.依据权利要求22所述的超薄透明电磁屏蔽膜制备装置，其特征是，所述修正挡板分为位于隔板所在板面两侧的导流板，两侧所述导流板朝隔板所在板面的方向上可斜向上分布，且两侧所述导流板之间形成间隙，形成的所述间隙位于所述隔板的上方，以使接触所述导流板的所述银颗粒和所述铝颗粒向形成的所述间隙流动。

  24.依据权利要求17所述的超薄透明电磁屏蔽膜制备装置，其特征是，所述线型真空镀膜机。

  本申请提供一种超薄透明电磁屏蔽膜及制备方法、装置，应用光学镀膜材料、电磁屏蔽膜以及真空镀膜技术领域，其中，以银材料和铝材料作为原料，在真空镀膜机内分别将银材料和铝材料向屏蔽膜基材共蒸发沉积，以得到包含银颗粒和铝颗粒的电磁屏蔽膜；银材料和铝材料通过隔板隔开各自向屏蔽膜基材共蒸发沉积，分别控制银材料在共蒸发沉积中的第一速率和控制铝材料在共蒸发沉积中的第二速率，使电磁屏蔽膜中的银颗粒含量占比和铝颗粒含量占比满足电磁屏蔽要求和透光率要求，以根据自身的需求可以同时兼备高透过率和强屏蔽效果。